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牛津仪器启动二硫化钼生长工艺研究或将推动下一代纳米电子器件的开发

2018-11-26 10:06:19

据报道,2016年7月4日,英国牛津仪器公司利用其纳米实验室纳米级生长系统,启动了二硫化钼生长工艺研究。

单层硫化钼是一种直接带隙半导体材料,在光电领域具有广泛的应用,如发光二级光、光伏电池、光探测器、生物传感器等,而多层二硫化钼是一种非直接带隙半导体,有望用于未来的数字电子技术。

牛津仪器公司表示,该公司已经开展了广泛的研究,对化学气相淀积工艺进行了优化,开发了纳米实验室系统,这一系统能够处理广泛领域的液态/固态/金属-有机材料,适用于二维材料生长。该系统能够提供在蓝宝石、原子层淀积铝(氧化铝和氧化硅)等各种衬底上生长的能力,也能够淀积硫化钨、二硫化钼等二维过渡金属硫化物。

该工艺的开发及其已经经过验证的成果极度令人振奋,因为纳米实验室等离子处理系统的二维材料处理能力进入到了一个新阶段。拉曼分析表明了单层材料的高品质,原子力显微镜表明了薄膜的平滑和一致性。该公司期待二维材料生长工艺的开发,将推动下一代纳米电子器件的开发。

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